MOSFET: Засвар хоорондын ялгаа

Content deleted Content added
бNo edit summary
Мөр 2:
 
== Дотоод бүтэц болон шинж чанар ==
Одоо хэрэглэгдэж буй ихэнх MOSFET нь pP хэлбэрийн цахиур тавцан дээр суурилна. Энэ тавцан дээрээ цахиур ислийн давхаргыг тусгаарлагчийн үүрэгээрүүргээр дэвсэж, түүн дээрээ метал гэйтийг байрлуулна. Ингэснээр гэйтээр гүйдэл огт гүйхгүй болох боловч, гэйт дэх эерэг цахилгаан орон нь ойролцоох цахиур тавцангийн гадаргын хэсэгт электронуудыг татан цуглуулна. Үүсэх электрон суваг нь хоёр талдаа байгаа n хэлбэрийн драйн сөөрс хоёрыг хооронд холбож өгч гүйдэл гүйх сувгийг үүсгэнэ.
 
Сувгаар гүйх драйн гүйдэл нь суваг дахь цэнэг зөөгчийн тоо болон тэдгээрийн урагшлах хурдаас шууд хамаарна. Гэйтэд хүчдэл залгаагүй үед сувагт электрон байхгүй харин эерэг цэнэгтэй [[нүх]]нүүд олноороо оршино. Гэйтийн хүчдэлийг аажим ихэсгэхэд нүхүүд суваг дахь эерэг цахилгаан оронгийн нөлөөгөөр холдон одох болно. Хүчдэл тодорхой хэмжээнд очиход суваг дахь нүхнүүд бүгд байхгүй болж анх электронууд татагдаж орж ирнэ. Ийнхүү p хэлбэрийн хагас дамжуулагч доторх электронуудын үүсгэсэн сөрөг цэнэгийн бүсийг эсрэг бүс гэх бөгөөд эсрэг бүсийг үүсгэх гэйтийн хүчдэлийг босго хүчдэл гэнэ.