MOSFET: Засвар хоорондын ялгаа

Сувгаар гүйх драйн гүйдэл нь суваг дахь цэнэг зөөгчийн тоо болон тэдгээрийн урагшлах хурдаас шууд хамаарна. Гэйтэд хүчдэл залгаагүй үед сувагт электрон байхгүй харин эерэг цэнэгтэй [[нүх]]нүүд олноороо оршино. Гэйтийн хүчдэлийг аажим ихэсгэхэд нүхүүд суваг дахь эерэг цахилгаан оронгийн нөлөөгөөр холдон одох болно. Хүчдэл тодорхой хэмжээнд очиход суваг дахь нүхнүүд бүгд байхгүй болж анх электронууд татагдаж орж ирнэ. Ийнхүү p хэлбэрийн хагас дамжуулагч доторх электронуудын үүсгэсэн сөрөг цэнэгийн бүсийг эсрэг бүс гэх бөгөөд эсрэг бүсийг үүсгэх гэйтийн хүчдэлийг босго хүчдэл гэнэ.

 

 

<math>\ I_D=\mu Cox \frac{w}{L}((V_G-V_T)V_D-\frac{V_D^2}{2})</math>